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讓我為眾老手解開DB-01為何能克服電容困擾而高速的奧秘。

wensan兄對於slew rate過於執著在電容充放電的觀點，
卻忽視電路架構也能夠巧妙改變一些充放電容的計算方法。



1.您說米勒效應將C4電容22pF變成(Av+1)倍，如果是一般共射
(源)極電路這沒錯，可是wensan兄您沒看出這Q3、Q4、Q5、Q6
所構成的就是高頻寬的串疊式電路。

Q5、Q6等於是共基極放大，而Q3、Q4因為是共洩(集)極，是交流性接地，
所以Q3、Q4的Av=0，因此雖然有C4的 22pF，輸入電容
Ci=Cbc*(1+Av)+Cbe=Cbc+Cbe，也就是說JFET的
Ciss+Crss*(1+Av)=Ciss+Crss，只要Q3、Q4選得好，克服
電容高的迷津就很容易。

再說wensan兄一直對2mA CRD和Q25、Q26 PNP在上、NPN
在下很不順眼，一直希望我改掉這Diamond Buffer DB的精華，
我明示、暗示過幾次，wensan兄想錯方向了，事實上uuu兄也量
測到一個重要訊息，那就是Q25、Q26 Vbe放大訊號時幾乎不變。

也就是說Q25、Q26 無論輸出入是上半波還是下半波，它們是隨
時active狀態，所以Vbe幾乎不變，請問那Cbe為何要充電?

Q20、Q21也很像，是隨時處於active狀態，所以這就是為什麼
IC可以在幾個uA就推動得了輸出級，而且非常省電的原因，或者
一般DB current buffer極為高速的奧秘。

如果像Leach Low TIM Amp一樣，Q25、Q26 NPN在上、PNP
在下，那正半波時Q25導通 Cbe充電，Q26不導通 Cbe放電，
負半波時剛好相反，其電容隨訊號一直在充放電，速度便會被拖累。

mtlin12 寫:讓我為眾老手解開DB-01為何能克服電容困擾而高速的奧秘。


1.您說米勒效應將C4電容22pF變成(Av+1)倍，如果是一般共射
(源)極電路這沒錯，可是wensan兄您沒看出這Q3、Q4、Q5、Q6
所構成的就是高頻寬的串疊式電路。

mtlin12兄, 對不起我早已遺忘"米勒效應"的定義及由來了, 可以請您解釋幫我解釋它的來龍去脈嗎?

謝謝!

Dream_Reader 寫:

mtlin12 寫:讓我為眾老手解開DB-01為何能克服電容困擾而高速的奧秘。


1.您說米勒效應將C4電容22pF變成(Av+1)倍，如果是一般共射
(源)極電路這沒錯，可是wensan兄您沒看出這Q3、Q4、Q5、Q6
所構成的就是高頻寬的串疊式電路。

mtlin12兄, 對不起我早已遺忘"米勒效應"的定義及由來了, 可以請您解釋幫我解釋它的來龍去脈嗎?

謝謝!

"定義"我也忘得差不多了，趕緊找一本全華"電晶體電路設計"來抄。

共射極放大當基極B端輸入交流電壓Vi，集極C端輸出交流電壓為-Vi*Av，
在BC端之間的電容Cbc其兩端被施加的電壓就是Vi*(1+Av)，
因為=Vi-(-Vi*Av)，亦即電壓被放大了*(1+Av)倍，可以說從
基極B端所看見的Cbc容量會被放大(1+Av)倍。這種現象就稱為
米勒效應。 (頁38，文字稍微有更動)

mtlin12 寫:
"定義"我也忘得差不多了，趕緊找一本全華"電晶體電路設計"來抄。

共射極放大當基極B端輸入交流電壓Vi，集極C端輸出交流電壓為-Vi*Av，
在BC端之間的電容Cbc其兩端被施加的電壓就是Vi*(1+Av)，
因為=Vi-(-Vi*Av)，亦即電壓被放大了*(1+Av)倍，可以說從
基極B端所看見的Cbc容量會被放大(1+Av)倍。這種現象就稱為
米勒效應。 (頁38，文字稍微有更動)

感謝! 電晶體相關的書早就不知道扔到哪去了, 只好跟您求教了!

不知書上有沒有提到米勒效應是一種物理現象還是做電路分析時的一種手法, 因為我實在看不出來cbc在基極端被放大(1+AV)倍的理由耶!

我猜是一種"教學"手法，來亂的，逃∼

Dream_Reader 寫:不知書上有沒有提到米勒效應是一種物理現象還是做電路分析時的一種手法, 因為我實在看不出來cbc在基極端被放大(1+AV)倍的理由耶!

米勒效應是電路學上經數學方式推導證明的定理。