用MOSFET的壓降問題

[genome]

以N type MOSFET IRF610為例 假設:
Gate輸入的訊號是DC (Vgs是直流)
想要知道:
當Vgs從0V增加到15V Vds的變化會怎樣?

看了半天IRF610的spec Fig 1/2都是說Gate輸入pulse的情形
不知如果Gate是DC時MOSFET的動作應該會怎樣? 找不到相關的資料

我只知道在臨界電壓之前 (Vgs<3.3 Volt) Rds應該無限大 MOSFET不導通
當Vgs超出臨界電壓很多的時候 MOSFET導通 Rds很小 (IRF610的Rds=1.5 ohm) Vds的壓降很小
當Vgs在臨界電壓附近變話的時候 MOSFET部份導通 Vds的壓降隨Vgs改變 有沒有人有這部份的特性曲線?
感謝

[skyboat]

以 dc 來測試恐怕更難以掌控 "溫度" 這項本來就難剃頭的變數。

在特性曲線之外的部份，原廠既無提供就自己設定條件實測吧！您想知道的可能在教科書上會提到一點點，啥麼書？歹勢，離開學校 25 年了 ！