「高速」不等於「Low TIM」!!!

[mtlin12]

我想問的不是充電時間還是比達靈頓長不長的問題，而是為何DB照樣截
止? 請麻煩再模擬100KHz方波20V輸出時，DB會不會off，Low TIM
會不會上下半波交互 ON-OFF？感謝!

[Dream_Reader]

mtlin12兄,

這個模擬的結果是正確的, 你想知道的應該是DB為何會截止吧! 從偏壓設定上是看不出來的, 你必須觀察各級的電流變化及電晶體beta值間的關係才看得出來問題所在. 首先要算出對負載(1K//100pF)的充放電電流, 相信算出電流值後你就可以發現問題何在了!

2mA的橫流源真的夠用嗎??

[mtlin12]

我在示波器上有發現DB為何會截止，可能是方波的edge對於電容充電吧。
不過就音頻測試簡單結果如下:
DB-01 Q20 Vbe
50KHz時，sinewave，Vin from DB-01的第一、第二級放大
SG:Loadstar AG-2601A 10Hz~1MHz(二手)
OSC:Metrix OX-800 20MHz 2-ch有minus功能(二手)

Vout 8.3Vrms at 110 OHM//接線的電容(?pF)
Vbe 觀測結果 from ≒0.6V~1.1V ，推論Q20 50KHz at 110Ω
75mA rms out時，A類 always on 。

但同樣情況，達靈頓對會隨sinewave 上下波 On-Off 屬於AB類
(依107mA*10Ω=1.07V推論，無法令輸出晶體Q20、Q20同時
on)。

ps.回Dream_Reader兄:
CRD我只買進一些2mA的貨，配合MJE340/350 hfe和耳機，覺得
好像很夠，就沒有再改，Walt Jung大概是6mA，射極電阻5Ω，下次
改進，感謝。

回KVL兄:
DB-02是後級之前已經貼在梁山泊，並且使用Low TIM 達靈頓，但是
是用DB推SANKEN 2SC2922/2SA1216，感謝。

[wensan]

mtlin12兄,

這個模擬的結果是正確的, 你想知道的應該是DB為何會截止吧! 從偏壓設定上是看不出來的, 你必須觀察各級的電流變化及電晶體beta值間的關係才看得出來問題所在. 首先要算出對負載(1K//100pF)的充放電電流, 相信算出電流值後你就可以發現問題何在了!

2mA的橫流源真的夠用嗎??

請各位自己看，不廢話！

[mtlin12]

依照我的推算，20KHz sinewave 22Vp-p 負載電阻100ohm時 ，
Low TIM Q1、Q4會交互逆偏，交互on-off。可是DB Q1、Q4卻始終
ON，沒有逆偏。

[mtlin12]

忘記還有一個重要參數，SPEEDO +/- 30V，+/-50V時DB-01輸出會
更大 >8.3V rms。

[kvl]

Vbe 觀測結果 from ≒0.6V~1.1V ，推論Q20 50KHz at 110Ω
75mA rms out時，A類 always on 。

但同樣情況，達靈頓對會隨sinewave 上下波 On-Off 屬於AB類
(依107mA*10Ω=1.07V推論，無法令輸出晶體Q20、Q20同時on)。

50KHZ/10V(峰值)正弦波，100R負載

DB:第一級ON、第二級OFF
LOW-TIM:第一級ON、第二級OFF

100KHZ，其餘同

DB:第一級:OFF、第二級:OFF
LOW-TIM:第一級:ON、第二級:OFF

重負載LOW-TIM照樣有優勢!
別傻了，DB是無法改寫A類的理論的。

[mtlin12]

我量測時是50KHz 8V rms，DB還是在A類狀態，Low TIM則不然。

模擬與實際值略微不同，但推斷Low TIM會比較早一步第二級:OFF。

[kvl]

我量測時是50KHz 8V rms，DB還是在A類狀態，Low TIM則不然。

模擬與實際值略微不同，但推斷Low TIM會比較早一步第二級:OFF。

兩者的靜態電流要相同，比較才有意義，DB憑什麼改寫A類的理
論?即使是PASS號稱可以提升單端效率的專利

[wensan]

依照我的推算，20KHz sinewave 22Vp-p 負載電阻100ohm時 ，
Low TIM Q1、Q4會交互逆偏，交互on-off。可是DB Q1、Q4卻始終
ON，沒有逆偏。

請各位自己看，不多說！

[wensan]

我量測時是50KHz 8V rms，DB還是在A類狀態，Low TIM則不然。

模擬與實際值略微不同，但推斷Low TIM會比較早一步第二級:OFF。

請各位自己看，懶得說！

[wensan]

我量測時是50KHz 8V rms，DB還是在A類狀態，Low TIM則不然。

模擬與實際值略微不同，但推斷Low TIM會比較早一步第二級:OFF。

請各位自己看，不曉得該說什麼！

[mtlin12]

我想我應該像wensan兄和kvl兄說一聲道歉，他們很辛苦的模
擬，我也就一直旁觀，
評論、條件變更等等，而我卻沒有告訴wensan兄，我並不是用
2N5401/2N5551設計的，雖說我之前半公開的零件表有列。
DB-01的用戶才知道那是hfe比2N5401/2N5551更大的
2SA970/2SC2240 BL or GR，所以實際量測的結果，與軟體
模擬結果有落差，當然2N5401/2N5551並不是我指定或誤導
wensan兄的，因為小訊號BJT通常就是那幾顆，所以wensan兄
模擬時我並沒有介意，所以模擬情況與我量度結果相當不同。


架構是一回事，設計元件的選擇則是另外一件事，很難就某種條
件完全設定情況下，去論高下、快慢。個人不懂SPICE，只好用
實測的方式觀察、記錄、分析，
兩位專家或許辯論時有所怠慢，絕無惡意，連日的爭論，也許不
知所終，因為變數
頗多( hfe、2mA or 6mA、RL大小...)，經過此次理論、模擬、
實測的過程，也許
看官覺得無聊，個人卻受益良多，再次向wensan兄和kvl兄說一聲感謝。

今天因出遊，照片稍晚貼出。wensan兄和kvl兄如果還有興趣，
請繼續奮戰吧!

[David Lin]

幾位的討論我是一直在旁拜讀的,看得既緊張又高興.

緊張的是怕這樣難得深入討論會出軌失控,讓我等小輩少了學習的機會.高興的是也唯有如此針鋒相對,才會在此展現各位前輩的過人真本領,無比過癮也!

不過林兄這一招"陣前換將"看得我座下不穩,摔到地上來,嗚呼哀哉~

高人過招,實不敢造次,但是如此過癮之事,我等張狂之徒,實在忍不住叫個好~哇哈哈哈...請見諒!!

[mtlin12]

幾位的討論我是一直在旁拜讀的,看得既緊張又高興.

緊張的是怕這樣難得深入討論會出軌失控,讓我等小輩少了學習的機會.高興的是也唯有如此針鋒相對,才會在此展現各位前輩的過人真本領,無比過癮也!

不過林兄這一招"陣前換將"看得我座下不穩,摔到地上來,嗚呼哀哉~

高人過招,實不敢造次,但是如此過癮之事,我等張狂之徒,實在忍不住叫個好~哇哈哈哈...請見諒!!

我沒有"陣前換將"，請看兩星期前就公告並無2N5401/5551 :

Ultima DB-01前級公布零件表
作者: mtlin12
日期: 03/11/11 09:22

>作者: Arlo
>日期: 03/11/08 19:49

>mtlin12兄:
>這種零件表不先公布有一個很大的問題...
>就是得花兩次運費!!!! 有些零件DZ才有或DZ有價格優勢的..etc
>因為不確定零件..所以得分兩次訂購...運費很傷的...

>建議可以公布零件表, 但是公布的零件表不寫零件位置..
>就是不標哪些阻值是用在Rxx,哪些晶體是用在Qxx...etc

尊重網友的意見，現在公布100%以上的電阻、電容，和85%以上的主動元件

電阻從小排到大：
10Ω 1W x 2, 68Ω x 1, 680Ω x 1, 750Ω x 1, 1KΩ x 1, 2KΩ x 2 , 3.3KΩ x 2
10KΩ x 2, 27KΩ x 2, 100KΩ x 1 共15顆。
SVR 直立多轉式 200Ω x 2
電容:
0.1uF 15mm ( WIMA or RIFA MKP ) x 3
0.1uF 10mm ( WIMA MKP ) x 2
1uF/63V 10mm ( WIMA MKS ) x 3
22pF x 3 or x 2 ( C7不裝)
2.2uF 15mm ( WIMA MKS )x 1
4.7uF 37.5mm ( RIFA PHE450 ) x 1 ( 不在 PCB上 ) 總共13顆。
8-pin IC socket x 1

主動元件，Q3、Q4、Q17請另外洽詢My3c，其餘:
2SA970/2SC2240 各1 ( DZ 好像沒有日系晶體 ，用MJE340/350勉強可以代替)
MJE340/350 各2
MPS8099 x 3、MPS8599 x 4
LM334Z x 1
LS-844 x 1
2SK246BL x 3、2SK246Y x 1 ( DZ 好像也沒有，真的買不到，請email給mtlin12)
1N4148 x 1 總共23顆 ，需要配對者主要以JFET為主。

等一會兒就公布實測照片。

[mtlin12]

先看這個先前量測的照片:

DB-01 50KHz 8.355Vrms 正絃波輸出 220//220=110Ω負載 ch-1= Q20_Vb ch-2 = Q20_Ve

上為ch-1 與 下為 ch-2 始終有些壓差，每格5V，10uS。

兩者幾乎沒有相位差，也就是說圖形非常接近幾乎可以重疊。

上減下之圖=兩者幾乎沒有AC電壓差，所以Q20 應該是Always
ON，同樣推測Q21也 Always ON，目前狀況推測還是A類，
( 8.355Vrms=23.6Vp_p，107mA peak at 110110Ω負載)。
電壓再調高，就如軟體模擬，Vbe會由微凹變成大凹而逆偏。

但是Low TIM就必須像Gilmore用2.5Ω當射極電阻，或者加大
bias，才會避免提前進入輪流逆偏的情況( AB or B類? )。

[David Lin]

沒事沒事,就當在下白跌一跤, 很好很好.
敬觀幾位演義.

[kvl]

我們是在比較兩者架構的優劣，所以在模擬的過程，始終用相同
的晶體與各級靜態電流，這是做實驗最基本的-控製變因。
換了晶體，DB的特性會提升，LOW-TIM也會相對的提升，不是
嗎?這麼簡單的幾個晶體，模擬軟體沒有道理應付不來，是吧!

我從頭到尾都沒說DB聲音不好，所以不用太緊張。當初是您把
話講得太滿，今日才會騎虎難下。滿招損，謙受益。國外的討論
區常有這句話-如果我有錯，請糾正我，共勉之。

[mtlin12]

我想我只是懷疑Low TIM在AB or B類工作下是否能照樣快速？

當初因為沒有裝成Low TIM，無法得知結果，只得依賴軟體模擬
，要模擬當然得要條件設定好，我也說過這次比較是wensan兄
設定的，我也只有旁觀的份。

我在意的就是什麼情況下，DB會不是 All On，又Low TIM即使
hfe用比較高的BJT，其實結果是一樣的，會比DB提早逆偏，原
因無他，射極電阻上的電壓會抵銷掉偏壓而進入B類工作，不信
的話只要紙筆推算就好，DB本來就沒有偏壓，會進入B類工作，
純粹是電流供應不足。

[kvl]

很抱歉!您的推論是有問題，即使[b]將DB的

[wensan]

上減下之圖=兩者幾乎沒有AC電壓差，所以Q20 應該是Always
ON，同樣推測Q21也 Always ON，目前狀況推測還是A類，
( 8.355Vrms=23.6Vp_p，107mA peak at 110110Ω負載)。
電壓再調高，就如軟體模擬，Vbe會由微凹變成大凹而逆偏。

但是Low TIM就必須像Gilmore用2.5Ω當射極電阻，或者加大
bias，才會避免提前進入輪流逆偏的情況( AB or B類? )。

請各位自己看，說了也是白說！















情色貼圖區我也沒逛得比別人少，要貼就貼整套的才過癮！各個電晶體的Ie波形呢？

[wensan]

我想我只是懷疑Low TIM在AB or B類工作下是否能照樣快速？

哈！哈！哈！打死你，你也不相信Low TIM連在B類工作都比Diamond Buffer快！

[mtlin12]

模擬的DB圖紅綠有交叉，實際量測並無此現象，如何解釋?

[Dream_Reader]

[quote="kvl"]很抱歉!您的推論是有問題，即使[b]將DB的

[mtlin12]

模擬的DB圖紅綠GAIN根本有明顯差距，與current buffer Gain≒1明顯
不同，又如何解釋?